Память MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Документ
| Access time | - |
| Clock frequency | 333MHz |
| Memory interface | Parallel |
| Memory size | 3Tb (384G x 8) |
| Memory type | Non-Volatile |
| Mounting type | - |
| Operating temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Package / case | - |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Part status | Active |
| Supplier device package | - |
| Technology | FLASH - NAND |
| Voltage - supply | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Write cycle time - word, page | - |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
Описание
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
