Память MT29F2G08ABAEAH4:E TR
Информация о продукте
Обозначение производителя:
MT29F2G08ABAEAH4:E TR
Производитель:
Micron Technology Inc.
Документ
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (RUB) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT29F2G08ABAEAH4:E TR | MICRON | 10 шт. | склад | 1 |
запрос цены |
| Access time | - |
| Clock frequency | - |
| Memory interface | Parallel |
| Memory size | 2Gb (256M x 8) |
| Memory type | Non-Volatile |
| Mounting type | Surface Mount |
| Operating temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Package / case | 63-VFBGA |
| Packaging | Cut Tape (CT) |
| Part status | Active |
| Supplier device package | 63-VFBGA (9x11) |
| Technology | FLASH - NAND |
| Voltage - supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Write cycle time - word, page | - |
| Производитель | Micron Technology Inc. |
Описание
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
