Транзисторы с каналом N SMD FDV301N
25VN-CH.FET
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDV301N | Транзисторы и сборки MOSFET | VBSEMI | 9 357 шт. | 7 дней | 1 |
0.1694 от 1 шт. 0.1605 от 358 шт. 0.1529 от 1133 шт. 0.1478 от 2154 шт. |
|
| FDV301N | Транзисторы и сборки MOSFET | YOUTAI | 35 410 шт. | 7 дней | 10 |
0.1141 от 1 x упк(10) 0.1081 от 54 x упк(10) 0.1030 от 169 x упк(10) 0.0995 от 320 x упк(10) |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 25В |
| Ток стока | 0.22А |
| Мощность | 0.35Вт |
| Корпус | SOT23 |
| Напряжение затвор-исток | ±8В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 9Ом |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 0,7 |
| Вид упаковки | бобина, лента |
| Характеристики полупроводниковых элементов | logic level |
Описание
- Масса брутто: 0.02 g
Если заказанное количество отвечает:
100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках
Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.
