Транзисторы с каналом N SMD FQB33N10TM

N-CH/100V/33A/0.052OHMMOSFET

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
FQB33N10TM
Производитель:
ONS
Документация язык en
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистора N-MOSFET
Технология QFET®
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 100В
Ток стока 23А
Мощность 127Вт
Корпус D2PAK
Напряжение затвор-исток ±25В
Сопротивление в открытом состоянии 52мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 51
Вид упаковки бобина, лента

Описание

  • Масса брутто: 3 g

Изделия, требующие защиты от влаги, упаковываются в герметично запаянные мешки из пленки MBB (Moisture Barrier Bag) вместе с влагопоглотителем и датчиком влажности. На мешок наклеивается этикетка с обозначенным уровнем MSL (Moisture Sensitivity Level) и инструкция по обращению с элементами, чувствительными к влаге. Светодиоды мощности в корпусах COB упаковываются на лотки или блистеры, которые предотвращают соприкосновение чувствительного слоя поверхности диода с упаковкой.