Транзисторы IGBT SMD HGT1S10N120BNST

DISCRETEIGBT1200V35A

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
HGT1S10N120BNST
Производитель:
ONS
Документация язык en
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистора IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер 1.2кВ
Ток коллектора 17
Мощность 298
Корпус D2PAK
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 80
Заряд затвора 150

Описание

  • Масса брутто: 1.75 g