Транзисторы IGBT SMD HGT1S10N120BNST
DISCRETEIGBT1200V35A

Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
| Ток коллектора | 17 |
| Мощность | 298 |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Вид упаковки | бобина, лента |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 80 |
| Заряд затвора | 150 |
Описание
- Масса брутто: 1.75 g

