Транзисторы IGBT SMD HGT1S10N120BNST
DISCRETEIGBT1200V35A
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
Тип транзистора | IGBT |
Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
Ток коллектора | 17 |
Мощность | 298 |
Корпус | D2PAK |
Монтаж | SMD |
Вид упаковки | бобина, лента |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
Ток коллектора в импульсе | 80 |
Заряд затвора | 150 |
Описание
- Масса брутто: 1.75 g