Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Транзисторы IGBT > Транзисторы IGBT THT
РаспечататьТранзисторы IGBT THT HGTG5N120BND
DISCRETEIGBT1200V21A
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1.2кВ |
| Ток коллектора | 10 |
| Мощность | 167 |
| Корпус | TO247 |
| Монтаж | THT |
| Вид упаковки | туба |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 40 |
| Заряд затвора | 72нC |
Описание
- Масса брутто: 5 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
