Память R1RP0416DGE-2LR#B0

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
R1RP0416DGE-2LR#B0
Производитель:
Renesas Electronics America
Документ
Access time 12ns
Clock frequency -
Memory interface Parallel
Memory size 4Mb (256K x 16)
Memory type Volatile
Mounting type Surface Mount
Operating temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Package / case 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging Tube
Part status Last Time Buy
Supplier device package 44-SOJ
Technology SRAM
Voltage - supply 4.5 V ~ 5.5 V
Write cycle time - word, page 12ns
Производитель Renesas Electronics America

Описание

IC SRAM 4M FAST 44-SOJ