SI2319CDS-T1-GE3-VB
Транзисторы и сборки MOSFET
Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2319CDS-T1-GE3-VB
Производитель:
VBSEMI
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2319CDS-T1-GE3-VB | Транзисторы и сборки MOSFET | VBSEMI | 11 947 шт. | 7 дней | 1 |
0.2369 от 1 шт. 0.2244 от 256 шт. 0.2137 от 811 шт. 0.2066 от 1541 шт. |
|
| SI2319CDS-T1-GE3-VB | SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] = SI2319CDS-T1-GE3 | VBSEMI | 5 000 шт | 14 дней | 1 |
0.3318 от 1 шт. 0.2903 от 53 шт. 0.2592 от 1042 шт. |
