Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT IRF630
MOSFET200V0.4OHM
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
IRF630
Производитель:
STM
| Производитель | ST MICROELECTRONICS |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Ток стока | 5.7А |
| Мощность | 75Вт |
| Корпус | TO220-3 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 400мОм |
| Монтаж | THT |
| Технология | SuperMesh™ |
| Вид упаковки | туба |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
Описание
- Масса брутто: 1.95 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
