Транзисторы с каналом N SMD ST MICROELECTRONICS STB18N60DM2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,6А; 90Вт; D2PAK

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
ST MICROELECTRONICS STB18N60DM2
Производитель:
ST MICROELECTRONICS
Документация язык en
Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Технология SuperMesh™
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 600В
Ток стока 7.6А
Мощность 90Вт
Корпус D2PAK
Напряжение затвор-исток ±25В
Сопротивление в открытом состоянии 295мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate

Описание

  • Масса брутто: 2 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.