Транзисторы с каналом N THT STD1NK60-1

N-CHANNEL600V

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
STD1NK60-1
Производитель:
STM
Документация язык en
Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 600В
Ток стока 0.63А
Мощность 30Вт
Корпус I2PAK
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 8500мОм
Монтаж THT
Технология SuperMesh™
Вид упаковки туба
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate

Описание

  • Масса брутто: 0.41 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.