Память TC58BYG1S3HBAI6
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
TC58BYG1S3HBAI6
Производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Документ
| Access time | 25ns |
| Clock frequency | - |
| Memory interface | Parallel |
| Memory size | 2Gb (256M x 8) |
| Memory type | Non-Volatile |
| Mounting type | Surface Mount |
| Operating temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Package / case | 67-VFBGA |
| Packaging | Tray |
| Part status | Active |
| Supplier device package | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Technology | FLASH - NAND (SLC) |
| Voltage - supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Write cycle time - word, page | 25ns |
| Производитель | Toshiba Memory America, Inc. |
Описание
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
