Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы и модули IGBT > Транзисторы IGBT > Транзисторы IGBT THT
РаспечататьТранзисторы IGBT THT TOSHIBA GT50JR22(STA1,E,S)
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Информация о продукте
Обозначение производителя:
TOSHIBA GT50JR22(STA1,E,S)
Производитель:
TOSHIBA
Документация язык en
| Производитель | TOSHIBA |
| Тип транзистора | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600В |
| Ток коллектора | 44 |
| Мощность | 115 |
| Корпус | TO3PN |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±25В |
| Ток коллектора в импульсе | 100 |
| Время включения | 250 |
| Время выключения | 330нс |
Описание
- Масса брутто: 4.84 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
