Транзисторы с каналом N THT IRF640PBF

N-ChMOSFET

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IRF640PBF
Производитель:
VI1
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 200В
Ток стока 11А
Мощность 125Вт
Корпус TO220AB
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 0.18Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Заряд затвора 70

Описание

  • Масса брутто: 1.98 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.