Транзисторы с каналом N THT IRF830PBF

N-ChMOSFET

Информация о продукте
Обозначение производителя:
IRF830PBF
Производитель:
VI1
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
IRF830PBF Транзисторы и сборки MOSFET VISHAY 98 шт. 7 дней 1

2.9618 от 1 шт.

2.8059 от 21 шт.

2.6723 от 65 шт.

2.5832 от 124 шт.

Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 500В
Ток стока 2.9А
Мощность 74Вт
Корпус TO220AB
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 1.5Ом
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Заряд затвора 38

Описание

  • Масса брутто: 1.98 g

Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.