Транзисторы с каналом P THT IRFD9110PBF
P-Ch.MOSFET

Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
| Производитель | VISHAY |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Мощность | 1,3 |
| Корпус | DIP4 |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1.2Ом |
| Монтаж | THT |
| Ток стока | -0.49А |
| Заряд затвора | 8,7 |
Описание
- Масса брутто: 0.31 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.

