Транзисторы с каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3
N-ChMOSFET30V60mohm3A
Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2304DDS-T1-GE3 | SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | VISHAY | 490 шт | 14 дней | 1 |
0.8675 от 1 шт. 0.7590 от 20 шт. 0.6777 от 399 шт. |
Производитель | VISHAY |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 30В |
Ток стока | 3.3А |
Мощность | 1.1Вт |
Корпус | SOT23 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 0.075Ом |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 2,1 |
Вид упаковки | бобина, лента |
Описание
- Масса брутто: 0.01 g
Если заказанное количество отвечает:
100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках
Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.