Транзисторы с каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3

N-ChMOSFET30V60mohm3A

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2304DDS-T1-GE3
Производитель:
VI1
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R VISHAY 490 шт 14 дней 1

0.8675 от 1 шт.

0.7590 от 20 шт.

0.6777 от 399 шт.

Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 30В
Ток стока 3.3А
Мощность 1.1Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 0.075Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 2,1
Вид упаковки бобина, лента

Описание

  • Масса брутто: 0.01 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.