Транзисторы с каналом P SMD SI2307CDS-T1-GE3

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

Информация о продукте
Обозначение производителя:
SI2307CDS-T1-GE3
Производитель:
VI1
Документация язык en
Название Описание Производитель Количество Срок поставки Кратность заказа Цена (бел.руб.) Заказать
SI2307CDS-T1-GE3 Транзисторы и сборки MOSFET VISHAY 48 шт. 7 дней 1

0.3977 от 1 шт.

0.3767 от 153 шт.

0.3588 от 483 шт.

0.3468 от 918 шт.

Производитель VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -30В
Ток стока -2.2А
Мощность 1.8Вт
Корпус SOT23
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 138мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина, лента
Заряд затвора 6,2

Описание

  • Масса брутто: 0.03 g

Если заказанное количество отвечает:

100% – 80% бобины производителя – товар выдается в одном отрезке
80% – 40% бобины производителя – товар выдается максимум в двух отрезках
Менее 40% бобины производителя – товар выдается максимум в трех отрезках

Если в момент выдачи мы будем располагать отрезком свыше 1000 шт., товар наматывается в соответствующую бобину, к которой мы бесплатно добавляем технологические отрезки с обеих сторон.