Транзисторы с каналом N SMD VISHAY SIB452DK-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
VISHAY SIB452DK-T1-GE3
Производитель:
VISHAY
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 190В
Ток стока 0.53А
Мощность 13Вт
Корпус DPAK
Напряжение затвор-исток ±16В
Сопротивление в открытом состоянии 6Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 6,5

Описание

  • Масса брутто: 0.08 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.