Транзисторы с каналом N SMD VISHAY SIHB12N60E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
VISHAY SIHB12N60E-GE3
Производитель:
VISHAY
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 600В
Ток стока 7.8А
Мощность 147Вт
Корпус D2PAK
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 0.38Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 58

Описание

  • Масса брутто: 1.5 g