Транзисторы с каналом N SMD VISHAY SIHB33N60E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK

Товар отсутствует на складе.

Товар можно оформить под заказ.

Информация о продукте
Обозначение производителя:
VISHAY SIHB33N60E-GE3
Производитель:
VISHAY
Документация язык en
Производитель VISHAY
Тип транзистора N-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 600В
Ток стока 21А
Мощность 278Вт
Корпус D2PAK
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 0.099Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 150

Описание

  • Масса брутто: 1.5 g