Транзисторные модули MOSFET IXYS IXTN170P10P
Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -170А; SOT227B; 890Вт
![IXYS IXTN170P10P](files/126/448/9f/409675.jpg)
Товар отсутствует на складе.
Товар можно оформить под заказ.
Производитель | IXYS |
Тип модуля | транзисторный |
Конструкция диода | одиночный транзистор |
Напряжение сток-исток | -100В |
Ток стока | -170А |
Корпус | SOT227B |
Мощность | 890Вт |
Импульсный ток | -680А |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Монтаж | винтами |
Электрический монтаж | винтами |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 14 |
Рабочая температура | -55...150°C |
Описание
- Масса брутто: 0.03 kg