Главная страница > Полупроводники > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N THT
РаспечататьТранзисторы с каналом N THT STF11NM80
MOSFET800V0.4OHM
Информация о продукте
| Название | Описание | Производитель | Количество | Срок поставки | Кратность заказа | Цена (бел.руб.) | Заказать |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STF11NM80 | Транзисторы и сборки MOSFET | ST | 405 шт. | 7 дней | 1 |
8.4565 от 1 шт. 8.0115 от 8 шт. 7.6300 от 23 шт. 7.3756 от 44 шт. |
| Производитель | ST MICROELECTRONICS |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Ток стока | 11А |
| Мощность | 35Вт |
| Корпус | TO220FP |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 0.4Ом |
| Монтаж | THT |
| Технология | MDmesh™ |
| Вид упаковки | туба |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
Описание
- Масса брутто: 1.71 g
Элементы, чувствительные к воздействию электростатических зарядов, упаковываются с соблюдением мер безопасности в специальной зоне ESD. Для упаковки элементов используются антистатические планки либо блистерные упаковки с губкой, рассеивающей электрические заряды. Все изделия из зоны ESD также упаковываются в мешки типа shielding bags.
